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    作者:鲁畅

    英特尔3D工艺中国落地 P4500/P4600正式发布

         [ 中关村在线 原创 ] 暂无评论

      今天英特尔3D存储在英特尔大连的Fab 68工厂落地,记者同时还参加了英特尔企业级固态盘DC P4500及P4600系列产品发布会。发布产品在关键性指标上相比上一代产品提升了3倍。

      数据需求爆炸推3D NAND技术快速发展

      在大数据时代,数据是明日石油的理念受到推崇。随着从人联网向物联网的转变,数据量也成迅速增加趋势,数据洪流奔袭而来。据报道,2020年全球数据总量将超40ZB。

    英特尔3D工艺中国落地 P4500/P4600正式发布

      从中可以看到除了传统的冷存储的需求增大之外,温存储与热存储的需求大增,尤其是大数据分析的需求,让低延迟,固态存储需求猛增。对于企业级用户而言,在实际应用中都对突破存储瓶颈有强烈的需求,用户希望能够借助存储升级。面对这种用户需求与分层空缺,3D NAND应运而生,并快速成为一种供不应求的存储形态。

      英特尔首次在中国量产3D NAND产品

      本次发布的首款搭载TLC 3D NAND技术的英特尔固态盘DC P4500与P4600系列中DC P4500系列针对的是主流存储;DC P4600系列则是针对缓存和高速存储类应用。英特尔相关发言人在发布会上表示,此次发布的全新DC P4500及P4600均配备了英特尔第四代控制器,英特尔固件和384 GB单芯片的3D NAND。由于3D NAND在云计算时代有着天然的优势,因此英特尔此次发布的DC P4500及P4600系列产品均可以进行PCIe定制化。

      在笔者看来,本次最值得关注的就是英特尔研发的控制器。由于搭载ONFI 4.0技术,尽管主控通道从18降到了12,但由于单通道读取速度提升了将近小一倍,因此整体读取速度不降反升,从上一代的2800MB/s提升到3280MB/s。除此之外在企业级市场非常看重的4K随机写IOPS指标上更是提升了足足三倍。DC P4500及P4600可以说从根本上进行了重新设计,从而提供一种高效存储和缓存的全PCIe方案,帮助数据中心提升服务器效率。

    英特尔3D工艺中国落地 P4500/P4600正式发布

      英特尔公司是3D半导体工艺技术的先驱,从14年前开始研制,5年前引入CPU领域,2年前引入存储领域。而早在推出3D NAND产品之前,英特尔就已成为全球企业级SSD市场一哥。英特尔相关存储工厂目前一共有三个,分别是IMFT FAB 2、INTEL FAB 68与MICRON FAB 10。其中位于中国大连的INTEL FAB 68是唯一一家专注于3D NAND的工厂。2007年英特尔在中国大连建厂FAB 68后,一直致力于相关生产,面对市场庞大的3D NAND需求,英特尔宣布投资建设大连Fab68工厂并转产3D NAND,扩大3D NAND供应量,已满足市场需求。

      中国市场决定未来SSD市场格局

      本次中国发布会选在大连工厂,并邀请包括中关村在线企业站在内的多家业内媒体前往参加充分体现了英特尔对于大连工厂的重视程度。中国作为移动互联网大国,是名副其实的数字生产大国,也是全球最大的市场。最近两年,经常可以从新闻报道中看到,在半导体领域不论是本土企业还是外企都纷纷在华投建或扩建半导体生产线。

      在笔者看来,这充分说明了中国市场对全球SSD市场的影响力。作为曾经深耕中国市场多年的英特尔自然明白这一点,也正因为如此,英特尔不惜将自身最先进的生产线引入中国,从而更好的与竞争对手一教高下从而捍卫企业级SSD一哥的地位。笔者相信,本次发布的新品只是一个小小的铺垫,真正的大杀器还在后面。尽管本次发布会上英特尔对3D Xpoint技术是否会引入大连工厂并投产问题表示不便透露。但随着对手们都在加速将主要产能从海外迁移到中国,相信最终英特尔也会做出同样的选择。

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