芯片之伤，这也是存储行业多年思考的问题。其实在前沿技术的研发中，中国的科研院所并不落下风，例如前不久浙江大学信息与电子工程学院赵毅教授课题组研发出的低成本、低功耗的新型存储器，以及一个月前复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏带领的团队研发的二维非易失性存储芯片......这些技术应用站在行业上都是超前的，但是距离规模化量产似乎还“遥遥无期”。
Samsung 3D V-NAND（图片来自custompcreview）
存储芯片，可以理解为嵌入式系统芯片在存储行业的应用，从产品化实现可分为ASIC技术和FPGA技术。从应用来看，存储芯片技术多用于企业级存储系统，为访问性能、存储协议、管理平台、存储介质，以及多种应用提供高质量的支持。
如果说存储器是家庭的大门，那么控制器就是家钥匙，只有这两者满足了才能为大数据找到存放的仓库。当前，存储产业在全球IC市场的占比超过33%，如果中国掌握不了自家的钥匙，还谈什么数据安全？然而，要想在芯片领域占领高地，所涉及的方面包括设计、生产、封装、测试，还有材料、编程器件等等，只要单一产业链崛起是行不通的。
近年来，中国在存储器产业的投资力度备受关注。2016年12月，以长江存储为主体的国家存储器基地开工建设，包括三座全球单座洁净面积最大的3DNAND生产厂房、一座总部研发大楼和若干配套建筑，预计项目建成后总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。在长江存储的背后，是国家集成电路产业投资基金（占比24.0933%）、湖北紫光国器（51.0363%）等重磅机构。
2018年4月11日，长江存储正式启动了生产机台迁入作业，为量产首款国产32层3D NAND闪存芯片（64G）做了进一步准备，预计在2019年64层3D NAND闪存（128G）能够实现规模化生产。对此，紫光集团董事长赵伟国信心满满：未来两年内，人们或许就可以看到采用中国国产NAND存储器的智能手机上市。
就像赵伟国所说的，机会来了，一方面是产业投入持续加大，另一方面也是由于半导体制程的演进使得摩尔定律在存储行业似乎“失效”了。在14nm之后，NAND Flash芯片在存储容量、良品率、成本、价格等方面陷入了困境，3D NAND的出现恰逢其时，为中国存储器行业提供了弯道超车的机会。简言之，3DNAND可以将原本平铺的储存单元进行堆叠，形成多层结构提供容量，使原本只有1层的储存单元堆叠成64层甚至更多。更重要的是，其工艺制造技术有时会跑在处理器的前面。
从技术层面来说，半导体光刻在2D向3DNAND转型的过程中可以沿用，也就是说中国无需再花时间去研制新的生产工艺。从资本层面来说，3D NAND生产线前期需要巨额投入，而在大多数工厂都面临资金吃紧的情况下，中国的大力投入为技术攻关提供了源源不断地支持。从存储芯片市场长期被韩国、日本、美国厂商垄断，到国产存储芯片厂商的崛起，困境正在发生转变。
10亿美元，这是一枚32层3D NAND存储芯片的价值，为了它，长江存储投入了1000名研发人员，花费了两年的时间。长江存储预计，2018年下半年就能开始3D闪存生产，初期产能5000片晶圆/月，而武汉基地的设计产能如果可以如期达到30万片晶圆/月，就足以比肩SKHynix、东芝这样的传统豪强。更进一步说，当长江存储在2019年开始量产64层3D NAND闪存的时候，国产存储芯片的水平与三星的差距就能缩短到两年以内了。
随着中国集成电路芯片进口额超过2000亿美元，IC行业的重心向中国市场转移已经成为趋势。不过在这一浪潮之中，我们在工艺水平、良品率、技术实力等方面仍存在相当的距离。同时，考虑到芯片毕竟是上游产业，下沉到行业中还需要软硬件集成商来连接行业客户的需求，使其落地到应用场景中，也只有打通了这条链，才能让芯片的开发、量产、测试进入快速周期，从而形成良性的生态闭环。要知道，三星半导体花了10多年的努力才走到今天，美国经历辉煌后也是靠着美光等企业苦苦迎击着三星和东芝，中国要想实现存储芯片大规模替代进口，唯有潜心研发、布局生态，才会有可持续的发展。
结语
写在最后，中国芯片产业客观而言确实在用行动证明，国产芯片领域有万亿规模的资本支持，更有千万家本土企业在奋进中成长，这其中有对未来本土芯片技术的信心，更有对行业领域芯片技术发展的憧憬，无论如何，我们愿意从耐心的等待中找到属于中国芯的生命力，坚定有力。
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