日前，三星公布了新一代11nm FinFET制程工艺，将其命名为“11LPP”，并透露会在7nm时代使用EUV极紫外光刻。
三星公布新一代11nm工艺 7nm将有黑科技（图片来自AndroidAuthority）
据悉，11LPP可以看作是10nm和14nm工艺的融合版，前者的BEOL工艺可大幅减少芯片面积，后者则针对主流、低功耗的紧凑型芯片。
有了11LPP之后，三星的芯片品类会能更加完善，而且未来还会加入10LPU和144LPU的版本。在同等晶体管数量和功耗下，11LPP会比14LPP工艺提升15％的性能，降低10％的功耗。
有消息称，11LPP工艺预计在明年上半年投产，而7nm EUV极紫外光刻会在明年下半年亮亮相。
