北京时间6月6日消息，IBM宣布联手Global Foundries、三星合作研发出了5纳米制造工艺芯片，可在一个手指甲大小的芯片上装配300亿个晶体管，预计在2020年实现大规模量产。
IBM推出5纳米工艺芯片 预计2020年量产（图片来自Yahoo）
随着晶体管密度的增加，5纳米芯片相对于10纳米芯片可以实现40%的性能提升，或是将功耗降低75%。目前，最先进的芯片使用带有10纳米宽电路的FinFET制程，英特尔等公司已能够用FinFET制程打造安装有100亿或150亿个晶体管的芯片。
IBM研究院半导体技术研究副总裁穆克什·凯尔表示，芯片行业正在努力突破FinFET的设计，因为这种设计无助于集成电路规模的进一步扩大。随着芯片设计人员尝试集成更多的晶体管，芯片正面临晶体管泄露的问题。
据了解，IBM使用了一种新型晶体管，即堆叠硅纳米板，将晶体管更致密地封装在一起。纳米板晶体管通过4栅极去发射电子，这与当前通过3栅极发射电子的FinFET晶体管不同。“从几何学上来说，FinFET无法再继续扩大规模。”凯尔说。
IBM指出，性能增强可以加速认知计算能力、物联网和其他云端数据密集型应用程序的发展。能耗降低意味着，智能手机和其他移动设备中的电池充一次电使用的时间将比现在的设备长一两倍。
IBM、Global Foundries、三星组成的合作组织在日本VLSI技术和电路大会上公布了这款芯片。IBM不会生产这种芯片，生产工作由Global Foundries和三星负责，而这两家公司也可以选择获得5纳米工艺的授权。
凯尔表示：“摩尔定律不断受到挑战，因为跟上摩尔定律并不容易。这需要不断取得基础性的突破。这种新的晶体管将帮助芯片行业继续发展，产生摩尔定律所预测的经济价值。”
如今，当计算复杂度成倍提升，计算所需的芯片和硬件性能也面临挑战，在这种局势下，迈向5纳米工艺的发展非常重要。
